Une RAM LPDDR4X de 8 Go gravée en 10 nm pour le Galaxy Note 9 ?

Alors que l’annonce du Galaxy Note 9 approche à grands pas, tout semble désormais clair au sujet de la prochaine phablette de la firme sud-coréenne. En effet, on vient de rapporter qu’elle pourrait avoir droit à une RAM LPDDR4X de 8 Go bénéficiant d’une gravure en 10 nm.

Alors que l’on n’est plus qu’à quelques jours de la présentation du Samsung Galaxy Note 9, le sentiment d’attente créé par celui-ci est à son apogée. Si vous avez loupé les informations de ces derniers jours, sachez effectivement que le successeur du Galaxy Note 8 sera dévoilé à New York le 9 août prochain au cours d’un événement Unpacked. Alors que nous avons hâte de mettre la main sur ce produit, un indice capital vient de faire surface. Il semblerait effectivement que la firme ait lancé la production de sa RAM LPDDR4X de 8 Go bénéficiant d’une gravure en 10 nm. Selon toute vraisemblance, le composant devrait être intégré au Note 9.

Une RAM plus économe en énergie pour le Galaxy Note 9

La particularité de cette mémoire vive réside dans le fait que la vitesse de transmission des données atteint les 16 Gb/s. Cependant, il faut dire que ce n’est pas la première mémoire vive LPDDR4X à proposer une capacité de 8 Go. Mais grâce à la technique utilisée pour sa gravure, Samsung la qualifie de puce de seconde génération. Rappelons que le géant sud-coréen a récemment levé le voile sur une puissante RAM LPDD5. L’avantage de cette LPDDR4X de 8 Go est qu’elle est déjà prête à être intégrée dans un smartphone. Au vu du planning adopté par la marque, il est fort possible qu’elle se retrouve au sein du Samsung Galaxy Note 9. D’ailleurs, par rapport à la première génération, elle fait profiter d’un gain de 10 % en termes de consommation électrique. À cela s’ajoute le fait qu’elle soit plus petite.

Pensez-vous que cette RAM se trouvera réellement au sein du Galaxy Note 9 ?