Alors que le Samsung Galaxy S9 n’est même pas encore officiel, son possible successeur, le Galaxy S10 fait déjà parler de lui. À en croire les rumeurs, ce smartphone embarquerait un Snapdragon 855, une puce bénéficiant d’une gravure en 7 nm.
Une puce gravée en 7 nm pour le Samsung Galaxy S10 ?
Par rapport à la gravure en 10 nm du Snapdragon 845, la gravure en 7 nm possède de multiples atouts en termes de taille et de puissance. Cela dit, le processeur du Samsung Galaxy S10 devrait occuper moins de place que celui de son prédécesseur tout en proposant une meilleure performance. Puisque l’on parle de performance, l’intégration de cette puce devrait permettre au probable successeur du Galaxy S9 d’atteindre un débit théorique jusqu’à 2 Gb/s en téléchargement. À titre de comparaison, celui du Snapdragon 845 n’est que de 1,2 Gb/s.
La sortie de ce futur smartphone de Samsung constituera donc une avancée majeure dans l’adoption du standard 5G. Reste à savoir si tous les marchés du monde profiteront du SoC puisqu’à notre connaissance, certains pays européens, dont la France, utilisent des processeurs Exynos.
Que pensez-vous de cette news ? N’hésitez pas à nous donner votre avis dans les commentaires.